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電光晶體



      電光效應(yīng)是由于施加直流或低頻電場(chǎng)而導(dǎo)致的折射率變化。 施加到各向異性電光材料上的場(chǎng)可以改變其折射率,從而改變其對(duì)偏振光的影響。 折射率對(duì)所施加電場(chǎng)的依賴性有兩種形式:線性電光效應(yīng)和二次電光。 電子光學(xué)儀器

 

       可用于生產(chǎn)可控光學(xué)設(shè)備,例如Q開關(guān)應(yīng)用。

 

       如果線偏振光穿過EO晶體,則對(duì)于KD * P,An將引起a = r =2πOnL的相位延遲(T),其中L是晶體長(zhǎng)度,例如An = 0.5∩30F6sE/ N, r = Fx3E / n的πLn3。 顯然,光的相位將隨電場(chǎng)(E)一起變化。 這稱為電光相位調(diào)制。 如果將兩個(gè)交叉的偏振器分別放置在E-O晶體的輸入和輸出端,如(振幅調(diào)制器)所示,則光的輸出強(qiáng)度將為|。 =I。sin2(G / 2),其中l(wèi)。是輸入強(qiáng)度。 這意味著光的強(qiáng)度或幅度也可以通過電場(chǎng)進(jìn)行調(diào)制。 這稱為幅度調(diào)制。

 

 

       E-O調(diào)制有兩種。 如果電場(chǎng)和光的傳播方向相同,則為縱向E-O調(diào)制(如縱向調(diào)制所示)。 該方案中通常使用KDP同晶晶體。 如果電場(chǎng)和光的傳播方向是垂直的,則稱為橫向E-O調(diào)制(請(qǐng)參閱“橫向調(diào)制”)。 在該方案中通常使用LiNbO3,MgO:LiNbO3,ZnO:LiNbO3,BBO和KTP晶體。

 

         半波電壓(V)定義為使T =π的電壓,例如V = 2 /(2nre3)對(duì)于LiNbO3,KD * P和V =λd/(2nr22L),其中λ是光波長(zhǎng),d是光波長(zhǎng)之間的距離電極。

 

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